marj
21-05-2016, 03:20 PM
http://aitnews.com/wp-content/uploads/2014/12/Samsung-Electronics-Starts-Mass-Production-of-Industry%E2%80%99s-First-8-Gigabit-LPDDR4-******************************-DRAM-598x337.jpg
كشفت سامسونج عن ذاكرة عشوائية للهواتف الذكية بسعة 6 جيجابايت، وذلك ضمن فعاليات منتداها لحلول الهواتف، بمدينة شنزن الصينية.
وتعمل الذاكرة العشوائية بتقنية LPDD4، ودقة تصنيع 10 نانومتر، التي تساهم في تحسين عمر البطارية، وتوفير الطاقة، ومن المتوقع أن تقوم سامسونج باستخدام هذه الشريحة في هاتفها القادم جالكسي نوت 6، والذي يُتوقع أن يتم الكشف عنه في شهر أغسطس من العام الحالي.
وتشير الإشاعات أن الهاتف سيقدم شاشة بقياس 5.8 إنش، والتي قد تكون منحنية من الطرفين، بجانب معالج كوالكوم سنابدراجون 823، مع ذاكرة عشوائية بسعة 6 جيجابايت، التي كشفت عنها سامسونج.
وتشير التكهنات أن الهاتف سيكون الأول من الشركة الذي يقدم 6 جيجابايت من الذاكرة العشوائية، وسيقدم بطارية بسعة 4000 مللي أمبير، كما تتحدث بعض التسريبات عن وجود نسخة بذاكرة داخلية بحجم 256 جيجابايت، وسيأتي مع منفذ USB-C، مع كاميرا خلفية بدقة 12 ميجابيكسل، وفتحة عدسة f/1.4.
كشفت سامسونج عن ذاكرة عشوائية للهواتف الذكية بسعة 6 جيجابايت، وذلك ضمن فعاليات منتداها لحلول الهواتف، بمدينة شنزن الصينية.
وتعمل الذاكرة العشوائية بتقنية LPDD4، ودقة تصنيع 10 نانومتر، التي تساهم في تحسين عمر البطارية، وتوفير الطاقة، ومن المتوقع أن تقوم سامسونج باستخدام هذه الشريحة في هاتفها القادم جالكسي نوت 6، والذي يُتوقع أن يتم الكشف عنه في شهر أغسطس من العام الحالي.
وتشير الإشاعات أن الهاتف سيقدم شاشة بقياس 5.8 إنش، والتي قد تكون منحنية من الطرفين، بجانب معالج كوالكوم سنابدراجون 823، مع ذاكرة عشوائية بسعة 6 جيجابايت، التي كشفت عنها سامسونج.
وتشير التكهنات أن الهاتف سيكون الأول من الشركة الذي يقدم 6 جيجابايت من الذاكرة العشوائية، وسيقدم بطارية بسعة 4000 مللي أمبير، كما تتحدث بعض التسريبات عن وجود نسخة بذاكرة داخلية بحجم 256 جيجابايت، وسيأتي مع منفذ USB-C، مع كاميرا خلفية بدقة 12 ميجابيكسل، وفتحة عدسة f/1.4.